| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 150 V |
| 额定电流 | 27.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 70 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 94 W |
| 零部件系列 | IRF3315 |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1300pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 上升时间 | 32.0 ns |
| 热阻 | 1.6℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 94 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON） = 0.07ohm ，ID = 27A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3315PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3315SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 82 mohm, 10 V, 4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3315PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 27A, TO-220AB 新
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