类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 150 V |
额定电流 | 43.0 A |
封装 | TO-262 |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 43.0 A |
上升时间 | 55.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Bulk |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON) = 0.042ohm ,ID = 43A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3415SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3415PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, TO-220AB 新
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3415SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK 新
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