| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | D2PAK-263 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 67A |
| 上升时间 | 38 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1220pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 57000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON）最大值= 9.0mohm ，ID = 77A ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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