类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 57W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 67A |
上升时间 | 38 ns |
输入电容值(Ciss) | 1220pF @10V(Vds) |
下降时间 | 4.2 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 57W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 20 V 67A(Tc) 57W(Tc) TO-262
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 77A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
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N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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