类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 67.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 57 W |
极性 | N-Channel |
功耗 | 57 W |
零部件系列 | IRF3704Z |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 67.0 A |
上升时间 | 38.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 1220pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 57 W |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 77A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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