类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 57W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 59A |
上升时间 | 41 ns |
输入电容值(Ciss) | 1210pF @15V(Vds) |
下降时间 | 3.6 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 57W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 30 V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-262
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 12.5mohm ,ID = 62A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3707ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V
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