| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-262-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 10.5 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 120 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 90A |
| 上升时间 | 171 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2672pF @16V(Vds) |
| 下降时间 | 9.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.2 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 9.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 30 V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON）最大值= 9.0mohm ，ID = 90A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF3709PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
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