类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 90.0 A |
封装 | TO-263 |
零部件系列 | IRF3709S |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 90.0 A |
上升时间 | 171 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Bulk |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 90A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3709SPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3709PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
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