| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 87.0 A |
| 封装 | TO-262 |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 87.0 A |
| 上升时间 | 41.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Bulk |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON）最大值= 9.0mohm ，ID = 90A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRF3709SPBF D2PAK
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3709PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
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