| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.023 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 57A |
| 上升时间 | 58 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3130pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 下降时间 | 47 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 15.01 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3710ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
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晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
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N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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