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IRF3710Z
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IRF3710Z 数据手册 (8 页)
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IRF3710Z 技术参数、封装参数

IRF3710Z 外形尺寸、物理参数、其它

IRF3710Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF3710 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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