| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 14.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 零部件系列 | IRF3710Z |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 59A |
| 上升时间 | 77 ns |
| 下降时间 | 56 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.21 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3710ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
