| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 110 A |
| 封装 | TO-262 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 120 W |
| 零部件系列 | IRF3711L |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110 A |
| 上升时间 | 220 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON）最大值= 6.0mohm ，ID = 110A ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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