| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 120 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.006 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 120 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110A |
| 上升时间 | 220 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2980pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.69 mm |
| 高度 | 8.77 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON）最大值= 6.0mohm ，ID = 110A ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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