类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 120 W |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 110A |
上升时间 | 220 ns |
输入电容值(Ciss) | 2980pF @10V(Vds) |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 6.0mohm ,ID = 110A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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