类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 140 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 7 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 330 W |
零部件系列 | IRF3808 |
输入电容 | 5310pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 140 A |
上升时间 | 140 ns |
输入电容值(Ciss) | 5310pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 330 W |
下降时间 | 120 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 330000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 0.007ohm ,ID = 140A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3808SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V
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