| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 106 A |
| 输入电容值(Ciss) | 5310pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 0.007ohm ，ID = 140A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3808SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V
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