类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 106 A |
输入电容值(Ciss) | 5310pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 200 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
宽度 | 9.65 mm |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 0.007ohm ,ID = 140A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
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Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK
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