| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 20 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 3500pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 74A |
| 上升时间 | 99 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 170 W |
| 下降时间 | 64 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 170W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.02ohm ，ID = -74A ） Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF4905PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF4905STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, 20 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF4905PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 74A, TO-220AB 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF4905STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 74A, D2-PAK
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF4905SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 64 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF4905LPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF4905STRRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 V
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