| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 5.60 A |
| 封装 | TO-220 |
| 额定功率 | 43 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 43 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 180pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.60 A |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 180pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 43 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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Intersil（英特矽尔）
5.6A ， 100V ， 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 5.5 A， 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF510PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
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