| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 48W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.7A |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 48W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 100 V 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Intersil（英特矽尔）
9.2A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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