| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 9.70 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ (max) |
| 零部件系列 | IRF520N |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.70 A |
| 上升时间 | 23.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Intersil（英特矽尔）
9.2A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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