| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 9.20 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 60 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.27 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.20 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 360pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
| 最小包装数量 | 50 |
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Intersil（英特矽尔）
9.2A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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