| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 60 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 360pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.52 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.85 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Intersil（英特矽尔）
9.2A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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