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IRF530
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IRF530 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
PDF文件:IRF530 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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IRF530 数据手册 (8 页)
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IRF530 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流14.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
功耗60W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)14.0 A
上升时间25.0 ns
输入电容值(Ciss)458pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)60W (Tc)
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IRF530 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF530 数据手册

IRF530 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.29 MByte
IRF530 其他数据使用手册
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9 页 / 0.36 MByte
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