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IRF5305LPBF
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IRF5305LPBF 技术参数、封装参数

IRF5305LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRF5305LPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IRF5305 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -31A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Kersemi Electronic
SHENZHENFREESCALE
New Jersey Semiconductor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF5305PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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