类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -55.0 V |
额定电流 | -31.0 A |
封装 | D2PAK |
零部件系列 | IRF5305S |
漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 31.0 A |
上升时间 | 66.0 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -31A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF5305STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5305PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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