| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 110 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 55 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | -12.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±0.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 790pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 55 W |
| 下降时间 | 36 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 55W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Rail |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
高级功率 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●雪崩耐受技术
●耐用栅极氧化物技术
●低输入电容
●改进了栅极电荷
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
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