Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP（恩智浦） > IRF530N,127 Datasheet 文档
IRF530N,127
来自 AiPCBA

IRF530N,127 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRF530N,127 数据手册 (7 页)引脚图在1 页Hot
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF530N,127 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF530N,127 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗79W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间36 ns
输入电容值(Ciss)633pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
耗散功率(Max)79W (Tc)
查看数据手册 >

IRF530N,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IRF530N,127 数据手册

IRF530N,127 数据手册
NXP（恩智浦）
7 页 / 0.09 MByte
IRF530N,127 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
10 页 / 0.17 MByte

IRF530 数据手册

IRF530 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF530 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF530 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF530 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF530 数据手册
Vishay Siliconix
IRF530 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
N沟道 100V 14A
IRF530 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
IRF530 数据手册
Harris
N沟道 100V 14A
IRF530 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
IRF530 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF530 数据手册IRF530 引脚图 PDF
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet