类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 27.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.044 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 130 W |
零部件系列 | IRF540N |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 1960pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 33.0 A |
上升时间 | 35 ns |
输入电容值(Ciss) | 1960pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 130 W |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 130000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
长度 | 10.54 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 15.24 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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