| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 140 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.044 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 130 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1960 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 33A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1960pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 130 W |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 130000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.69 mm |
| 高度 | 8.77 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻, 动态的dv / dt评级, 坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩, 著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用程序.
● 漏极至源极电压: 100V
● 栅-源电压：±20V
● 10V通导电阻Rds(on): 44m欧
● 25°C功率耗散Pd: 130W
● Vgs 10V和25°C持续漏电流Id: 33A
● 工作结温范围: -55°C至175°C
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
NXP（恩智浦）
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 27 A， 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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