类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 28.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 150 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.077 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 28.0 A |
上升时间 | 44 ns |
输入电容值(Ciss) | 1700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 150 W |
下降时间 | 43 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.41 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
12 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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