类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 92 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.021 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 92 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 36A |
上升时间 | 51 ns |
输入电容值(Ciss) | 1770pF @25V(Vds) |
下降时间 | 39 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
耗散功率(Max) | 92W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 36A(Tc) 92W(Tc) D²PAK(TO-263AB)
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.36 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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