最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 150mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP-6 package with its customized leadframe produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)60% less than a similar size SOT-23. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It"s unique thermal design and RDS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly 300% compared to the SOT-23. 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷 描述 这些P沟道MOSFET的国际整流器采用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,为设计师提供了一个非常有效的设备使用电池和负载管理应用。 TSOP-6封装,其定制的引线框架产生的HEXFET®功率MOSFET的RDS(on)比同样大小的SOT-23少60%。这个包是理想的应用印刷电路板空间是一个溢价。它独特的散热设计和RDS(上)减少使电流处理增加了近300%相比,SOT-23。
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IRF5800TR P沟道MOS场效应管 -30V -4A 150毫欧 SOT-163 marking/标记 B3X/BC 低导通电阻
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