| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 7.3 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60A |
| 上升时间 | 37 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2230pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的
●StrongIRFE
● 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
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晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 130 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V
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