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IRF610
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IRF610 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:N沟道MOS管
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRF610 数据手册 (10 页)
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焊盘图
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IRF610 数据手册 (10 页)
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IRF610 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流3.30 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.50 Ω (max)
极性N-Channel
功耗36.0 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200V (min)
连续漏极电流(Ids)3.30 A
上升时间17.0 ns
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IRF610 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
宽度4.7 mm
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IRF610 数据手册

IRF610 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.27 MByte
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Vishay Semiconductor（威世）
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