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IRF620
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IRF620 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
PDF文件:IRF620 数据手册 (14 页)
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IRF620 数据手册 (14 页)
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IRF620 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流6.00 A
封装TO-220-3
漏源极电阻100 mΩ
极性N-Channel
功耗70 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)70 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)70W (Tc)
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IRF620 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF620 数据手册

IRF620 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.32 MByte
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