| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 250 V |
| 额定电流 | 5.20 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 50 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 800 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 260pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 50 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
9 页 / 0.15 MByte
VISHAY（威世）
3 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 7A ， 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF6201PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V
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