类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
漏源极电阻 | 800 mΩ |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
上升时间 | 22 ns |
输入电容值(Ciss) | 260pF @25V(Vds) |
下降时间 | 13 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最小包装数量 | 2000 |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 7A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF6201PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V
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