| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -150 V |
| 额定电流 | -13.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 20.0 mΩ (max) |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 零部件系列 | IRF6215S |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | -150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
| 上升时间 | 36.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Bulk |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF6215STRLPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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