类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263-3 |
极性 | P-CH |
功耗 | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 13A |
输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF6215STRLPBF 场效应管, MOSFET
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P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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