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IRF630FP
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IRF630FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO- 220 / FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET
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IRF630FP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗30 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)30 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)30W (Tc)
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IRF630FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF630FP 数据手册

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