| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 9.00 A |
| 封装 | TO-262-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 82 W |
| 零部件系列 | IRF630NL |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.50 A |
| 上升时间 | 14.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 82 W |
International Rectifier（国际整流器）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 12A ， 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil（英特矽尔）
9A ， 200V ， 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）
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