| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 9.30 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.3 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 82 W |
| 零部件系列 | IRF630N |
| 输入电容 | 575pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.30 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 热阻 | 1.83℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 82 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 82000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
8 页 / 0.62 MByte
International Rectifier（国际整流器）
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier（国际整流器）
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 12A ， 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil（英特矽尔）
9A ， 200V ， 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
