类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 9.30 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 300 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 82 W |
零部件系列 | IRF630NS |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.30 A |
上升时间 | 14.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 82 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 175 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件