| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 额定功率 | 75 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 74 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 74000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 12A ， 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil（英特矽尔）
9A ， 200V ， 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）
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