类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
漏源极电阻 | 400 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3 W |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2000 |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
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