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IRF634
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IRF634 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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IRF634 数据手册 (14 页)
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IRF634 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)250 V
额定电流8.00 A
封装TO-220-3
漏源极电阻450 mΩ
极性N-Channel
功耗80W (Tc)
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
输入电容值(Ciss)770pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)80W (Tc)
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IRF634 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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IRF634 数据手册

IRF634 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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