| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.10 A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 770pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
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