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IRF640
来自 AiPCBA

IRF640 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRF640 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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IRF640 数据手册 (9 页)
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IRF640 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流18.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
输入电容1.30 nF
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200V (min)
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A
上升时间51 ns
下降时间36 ns
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IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度15.49 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRF640 数据手册

IRF640 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.27 MByte
IRF640 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
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