Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > IRF640 Datasheet 文档
IRF640
来自 AiPCBA

IRF640 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
PDF文件:IRF640 数据手册 (14 页)封装尺寸在10 页11 页12 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF640 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF640 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流18.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
功耗125W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)1560pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
查看数据手册 >

IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IRF640 数据手册

IRF640 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.32 MByte
IRF640 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.09 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet